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IGBT驱动隔离芯片

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参数表

这款产品是由GaAs红外发射二极管与功率输出级的集成电路光学耦合的隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件，高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能和高可靠性使得该芯片广泛适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。

应用领域

•白色家电

•工业逆变

•交流无刷和直流电机驱动器

•感应加热

•开关电源

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零件号	KPC330J
数据表	暂无文档
通道数	1
电压 - 隔离	5000Vrms
共模瞬态抗扰度	15kV/μs
传播延迟 tpLH / tpHL	250ns，250ns
电流 - 输出高，低	1.0A, 1.0A
电压 - 正向（Vf）（典型值）	2.0V
电流 - DC 正向（If）	110mA
电压 - 电源	0V ~ 30V
封装	WSOP16