大功率光耦继电器又有什么不同？

典型的光耦合器继电器由以下部分组成：输入 LED 光耦合到光电二极管阵列 (PDA) 控制电路和用作输出的两个功率 MOSFET 器件。 当 LED 工作时，PDA 会将光转换为电流和电压来驱动电源输出上的 MOSFET。

一旦达到一定的触发电流，中间控制电路负责安全可靠地导通和关断输出 MOSFET。 MOSFET 依次反向串联，可以同时在直流和交流之间切换。 光耦继电器的优点光耦继电器完全由半导体材料制成，没有活动部件，因此特别适合需要担心封装尺寸、功耗或运行速度的应用。

在机械继电器中，闭合时产生的动能触点会使被操作的触点弹跳。 这会导致触点断开和典型的电弧现象。 波动的接触电阻和电磁电路可能是噪音。 另一方面，光电继电器可确保无反弹运行且不受电磁干扰 (EMI)。 此外，机械 EMR 中的部件对开关施加了自然的速度限制：闭合触点需要 2 到 3 毫秒。

另一方面，光耦继电器不受这些限制-它们可以在1毫秒以下很好地切换。光耦继电器中没有运动部件。继电器还具有更好的抗冲击性和抗振动性。对于EMR，限量已经达到30g。虽然光耦继电器并非完全完好无损，但在中等温度和额定范围下工作时，可靠的开关几乎可以无限期地延长结温。同样，不会发生机械磨损，这进一步延长了光耦继电器的开关寿命。这种类型的半导体继电器的物理特性也允许异常高的隔离电压高达5000Vac，而类似的信号继电器在2000vac时达到其极限。

比如光耦继电器与之相比不用担心最大电弧，开关电压提高了EMR的十多倍，从200V提高到2000V以上。 由于它们可以在交流和直流之间切换，因此它们特别灵活。 光耦继电器还具有以下优点：能耗和封装尺寸。 由于 LED 所需的输入电流较低，因此标准配置的功耗约为 10mW。 功率小于5mW的特别敏感的产品也可用于指定应用。 虽然 EMR 只出现在 DIP 中，但光耦继电器可以减少到 VSSOP 甚至 TSON 封装以实现低电流器件——这在板空间有限的情况下是一个很大的优势。

这种具有增加的耗尽区的pin 型PDA 降低了pn 结的电容。 因此，它可以以比标准 pn 二极管更大的电流产生相同数量的光。 在发生饱和之前，电流与光的入射呈线性关系。 但是，需要几个光电二极管才能达到 MOSFET 栅极的阈值电压。 在一个标准的光耦继电器中，15 个单节电池（每个 1mm×1mm）组合成一个单元，8V 和 2 个完全导通。 .5μAMOSFET。 控制电路 光耦继电器内部控制电路的主要功能继电器是避免输出MOSFET处于中间或线性工作状态，并尽可能模仿两个EMR的运行状态。

控制电路包括一个并联的常开晶体管（驱动晶体管），用于输出 MOSFET 的栅漏电容。 电阻与常开 MOSFET 的栅极晶体管串联。 使用这种配置，栅极电压在积累足够的电流达到饱和之前不会达到阈值，并且只有当 LED 输入电流达到一定水平（LED 输入电流）时才会切换 MOSFET。 一个常数向输出 MOSFET 的栅极施加 7.5V 的电压以保持它们饱和。 一旦 PDA 不再产生电流，晶体管将返回导通状态，迅速降低栅极电压并在不到一毫秒的时间内关闭 MOSFET。