高速光耦与普通光耦有什么区别

关于这个问题，我认为不能仅通过说是否有问题来判断。 我已经在这个问题上进行了相当深入的实验。 并将其应用于38.4Kbps的串行通信，实际上，由于普通光耦的特性，开关的延迟时间通常是不同的。 
在正常应用（典型电路）中，开启时间为2〜3uS，关闭时间超过30uS。 这样，按照30uS的间隙计算，不超过半个时间，应该是16.6Kbps。 如果两个通信节点之间的波特率存在错误，则应降低该值！ 但是，在合理选择驱动电路之后，可以缩小两个时间间隔，并可以提高波特率。 我已将这段时间减少到少于2uS。 这样，理论上可以达到200Kbps以上。 
“实际上，由于普通光耦的特性，开关的延迟时间通常是不同的。在普通应用（典型电路）中，接通时间为2〜3uS，并且 关断时间超过30uS。按照30uS间隙计算，它不应超过半个时间，即16.6Kbps。” 
实际上，它不能“少于一半时间”。 许多单片机和其他芯片都位于3 / 8、1 /中，当以2和5/8位进行检测时，如果考虑到抗干扰要求，则时间只能少于3/8位，因此 可用的波特率较低。
如果要以更高的波特率工作，则很容易一个接一个地调整正向电流。 57600没有问题。但是，在批量生产中绝对不允许这样做。 如果使用固定的初级限流电阻和次级上拉电阻，并考虑到521的参数离散度（注意：电流传输比为50％至600％），则它必须在整个允许温度范围内可靠地工作 范围，并且波特率不应该大于9600，否则可能会发生这批芯片工作正常而下一批芯片异常的情况。 
光耦可以使用多高的波特率取决于三倍：
1，开启时间。 2.储存时间。 3.关闭时间。 
最大的影响是存储时间，它会使脉冲变形并导致传输错误。 
存储时间归因于三极管的饱和。 饱和度越大，存储时间越长。 如果它不能完全进入饱和状态（线性区域的边缘），则存储时间几乎为零。 但这很难做到，除非逐一调整驱动电流，以使晶体管不会进入饱和状态。 即使进行调整，温度变化也可能会改变电流传输率，导致晶体管进入饱和状态或离开线性区域的边缘（晶体管的输出幅度减小），并且电路无法正常工作。 
是否可以改进驱动电路以使芯片以更高的波特率工作？ 当然可以。 驱动电路延迟接通，而不会延迟断开。 如果延迟时间恰好等于存储时间，那么从波形的角度来看，无非是脉冲延迟，但没有变形（暂时不考虑上升和下降时间），因此 不会有传输错误。 但是，这里出现了一个新问题：它是否具有成本效益？ 高速光耦例如，6N135并不比TLP521贵很多。 如果更换驱动电路的增加成本大于6N135与TLP521之间的价格差，则不会计入。 在设计工作中，必须始终考虑这一成本因素。 
改善驱动电路无法减少开启时间和关闭时间，调整驱动电流也无法减少开启时间和关闭时间。 因此，即使存储时间为零，最终波特率也将受到这两次的限制。 
如果将TLP521用作数字设备，则让TLP521在非线性区域的饱和和非饱和极限下工作（即：添加上拉以产生高电平和低电平），并将其用于 通信隔离10Kbps并开始产生错误。 
如果我们可以完全理解光耦合的特性，则在TLP521的输出之后增加一个放大和整形电路，使用TLP521线性区域的电流传输比的增益特性，并通过一类 Schmidt双晶体管放大器的电压增益为25db时，放大和整形可以将传输信号的上升沿和下降沿的实时延迟降低到1uS。 如果使用单个管进行放大和整形以传输50Kbps，那将是没有问题的，并且成本只会增加几美分。 。 
如果高速光耦合器取消了接收管的内部放大和整形电路，则其速度不会比TLP521高。 
9600没问题
9600没问题，我用PC817，9600bps 5V，1kom传输比较稳定。 此外，如果在两侧都添加了2N4401 / 3加速度（整形），则38.4kbps的传输也非常稳定。 
脉冲的上升沿和下降沿可以通过施密特电路进行整形，但是无论上升沿和下降沿有多好，光耦关断的延迟时间都无法解决，并且 传输错误仍然会发生。 
“如果高速光耦合取消了接收管的内部放大和整形电路，则其速度不会比TLP521的速度高多少。” 
这句话更加无边界。 ，设计高速光耦的工程师听说他想吊死自己。 
但是，如果将光耦合器定位为模拟设备，情况就完全不同了，所以我要表达的是：光耦合器在线性区域中起作用，并且具有线性电压增益的电路与 线性放大和数字整形。 ，（具有线性放大特性和施密特特性的双管电路）。 它不是完全的施密特电路，并且在设计过程中已适当调整了工作点（包括发射电流）。 组件要求不是很严格，并且分批没有一致性问题。 加一个管，可以使驱动能力非常强，可以用来直接驱动大功率IGBT，VDMOS等。
这种电路是在高速光耦合昂贵的时代设计的，并且 它已经被很好地使用了。 建议做一些实验。 
关于高速光耦合的问题，我比较了类似等级的产品，例如6N135和TLP521。 您也可以尝试一下。 如果您不使用6N135中的三极管来加速，则6N135的性能确实比TLP521更好。 不多，当然差距也非常明显。 说这句话的目的是告诉您如何正确理解光学莲花的设计方法。
高速光耦在结构
上不同于普通光耦。在结构上，高速光耦与普通光耦不同。 高速光耦的结构是光电二极管放大器驱动电路，普通光耦的结构是光敏三极管（放大驱动电路）。 光电二极管的响应速度（上升和下降时间）约为纳秒，光电晶体管的响应速度（上升和下降时间）约为微秒。 并不是说普通的光耦可以在线性区域中高速运行，并且其固有的响应时间是有限的。 另外，如果普通光耦在线性区域中起作用，则它也将受截止频率Fc（Cut-off Frequency）参数的限制。 普通光耦的Fc基本在50KHz左右（测试条件VCC = 5v，IC = 5ma，RL = 100R，RL增大，Fc较小。当RL = 1K时，Fc约为10KHz），类似于TLP521，Fc 50KHz，PC817，Fc约为80KHz，CNY117，Fc约为250KHz。 
当然，在增加驱动电流（至200MA）/减小负载电阻（至500OHM）/优化驱动脉冲（某些情况下）的情况下，某些常见的光耦确实可以达到500KHz的速度。 光耦制造商的应用笔记提到了类似的应用）
将6N135与TLP521进行比较，的确是不正确的。
同意对光耦结构的看法。 如果仅使用6N135接收二极管并使用Ib串电阻（更大）输出，则它将对TpLH产生更大的影响，这是不公平的，而且没有人会如此愚蠢地使用它。 
TLP521使用光电晶体管并具有电流传输比，这使得可以使用巧妙的外部放大和整形电路设计。 
没有针对RS-485光隔离问题优化的电路。 
时间是有限的，没有针对RS485进行优化，也没有进行优化以达到令人满意的效果。 
请挖出我之前做过的电路，以供参考。 
不容易确保光耦处于线性状态，并且光耦的电流传输比变化太大，例如521，则电流传输比为 在0.5〜6之间，因此在相同的IF下，输出电压变化范围为0.5〜6倍，这给后续级工作点的定义带来了很大的困难，这基本上是不可能的。