光耦合器和基于硅的电流隔离技术–它们如何工作？

电防护是和人或别的电源电路联接的全部电子产品的必需维护方式，以避免很有可能产生的数十伏到好几千伏的髙压恶性事件。光耦隔离做为一种维护方式，规定2个电源电路中间根据绝缘层或防护天然屏障开展通讯，以避免电流量立即在电源电路中间流动性。
过去的几十年中，用以防护电源电路的技术性早已从根据电子光学的技术性变化为根据硅的技术性-可是这种技术性确实有什么不一样?
光耦合器在应用场景中怎样工作中?
如下图所示，光耦合器由一个键入LED，一个接受光电探测器和一个輸出控制器构成。控制器电源电路和LED电源电路一般 应用相辅相成氢氧化物半导体材料(CMOS)技术性搭建，绝缘层或隔离层一般 由模塑胶构成。光耦合器信号隔离器的键入和輸出都必须根据阳极氧化和集电结脚位联接的单独电压源，及其一般 在负极和发射极脚位处联接的单独接地装置，以维持键入和輸出中间的数据信号防护。
当释放的CMOS逻辑性键入造成键入侧电流量时，便会产生光耦合器内的通讯，随后，该电流量会造成占比的LED輸出，以根据模塑胶阻挡层传送到接受光电探测器并輸出。
光耦合器的防护特性在于LED，键入和輸出中间应用的模塑胶及其模塑胶中间的间距。因为模塑胶是防护天然屏障抗压强度的首要条件，因而其品质在光耦合器的使用寿命，可信性和特性层面起着关键功效。
硅基信号隔离器怎样工作中?
根据硅的隔离技术根据CMOS技术性，由2个单独的集成电路芯片(IC)集成ic-键入电源电路和輸出电源电路-根据紧密连接线联接以完成传输数据，如图2所显示。
数据信号隔离器构造的截面
数据信号隔离器的键入和輸出端(如下图所示)均必须独立的电压源(VCC1，VCC2)和独立的接地线(GND1，GND2)，以维持键入和輸出中间的数据信号防护。将晶体三极管晶体三极管逻辑或CMOS逻辑性键入运用于数据键入时，便会产生数据信号隔离器内的通讯。键入数据信号被数字转换为频域，随后根据高压电容性天然屏障，并越过联接键合线抵达接受侧IC。
数据信号隔离器电源电路的导体和绝缘体能够 是单独或2个二氧化硅(SiO2)电容器性势垒，依据设计方案，它能够 承担非常高的工作电压。因为绝缘层天然屏障是由高体积电阻率原材料组成的(请参照表1)，而且是在受严控的晶圆厂中而不是在装配流水线中生产制造的，因而构件中间的差别不大可能产生，而且防护特性的首要条件是隔离度。“完成髙压数据信号防护的品质和可信性”讨论了这类生产制造加工工艺怎样在单独封裝中出示与2个基础隔离级别等效电路的可信性，抗震和提高防护。